小燕文学

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第106章 布局闪存六千一百字求订阅求月票（第2页）

闪存的概念最先诞生于东芝，但闪存产业的开创者却是大洋彼岸的英特尔。

这可着实让舛冈富士雄憋了一口气，此后他在闪存上一条道走到黑的决心。

noR闪存被忽视，并没有让舛冈放弃自己的研方向。1986年，不甘心的舛冈富士雄再次走到了同行前头，他明了更便宜的nand闪存，也就是前世大家手机里都在用的那种。

“机会难得，既然东芝不重视闪存技术，那我现在似乎可以趁机把舛冈富士的团队以及nand闪存技术买下来！！！”

赵烨越想越兴奋，而且这可是一次千载难逢的技术。

错过nand闪存技术，那可就损失大了。

想到这，赵烨立即拿起手中的电话，打给雷克斯·艾登这个谈判收购专家，在电话中，赵烨跟他聊了许久，表示自己对舛冈富士团队以及nand闪存技术的重视，要求他务必买将整个团队以及nadn技术买下来。

东芝根本不重视nand闪存技术，舛冈富士作为明者，东芝只奖励了他几百美元奖金。

此时，日本。

东芝公司。

舛冈富士雄摸着几百美元，脸色十分难看。

他费尽千辛万苦带领团队开出nand闪存技术，公司却只奖励他几百美元。而且还遭受了公司高管们的讽刺。

“舛冈富士雄，这几百美元就当是给你这几年的辛苦奖励吧。坦白说，你们团队开的nadn闪存简直一点用都没有。nand结构虽然能实现更高的存储密度和更快的擦写度，但传输度却只有noR闪存的11ooo，怎么实现商业化？”一名东芝高管摇头，对舛冈富士很是失望。

“况且东芝的主要精力放在开半导体存储器dRam上，不光对noR闪存不感兴趣，更是对你们团队开的nadn闪存丝毫不感兴趣。

公司今后不会再给你们团队研资金，你就放弃开nand，去开dRam芯片吧！”

舛冈富士雄倔强的表示：“nand是有前途的，希望领导能够理解，只要给我们时间进行完善，一定可以开出具有商业价值的nand闪存技术！！！”

领导摇摇头，挥手将舛冈富士雄赶出去。

舛冈富士雄垂头丧气，满脸沮丧地离开了领导的办公室。

雷斯克·艾登此时放下了电话，站起身，对不远处的助手大声说道：“罗琳，你立刻收集东芝nand研团队的资料，老板布命令，要求我们务必收购nand开团队和nand技术！”

“好的，艾登先生，我这就去做收集资料！”一名身材劲爆，穿着黑色oL装的金大波浪白人美女立即朝雷斯克·艾登说道，然后转身走出办公室。

……

凡事预则立，不预则废。

雷克斯·艾登在行动之前，一定会做详细的调查。

所以前期的准备工作会稍微长一点。

上海，无疆微电子公司。

随着epRom芯片开完成，以及接下来要收购nand闪存技术，无疆微电子公司的生产任务将进一步加大。

另外，「穷奇游戏机」扩产，也需要更多的芯片。

赵烨特地来无疆微电子公司视察，了解一下状况，张汝晶陪同，带着赵烨看了好几条晶圆生产线。

张汝晶走到赵烨身边，介绍道：“目前，无疆微电子公司已经有四条晶圆生产线顺利投产！另外，还有四条生产线正在建设当中！”

无疆集团太给力了，旗下产品卖的那么好，对芯片的需求量与日俱增。无疆微电子公司为了满足无疆集团的用“芯”需求，就只能疯狂扩产，增加晶圆生产线！

此时，国内半导体产业链都因为无疆微电子公司的疯狂扩产而获得各种生产设备以及原材料的订单，这些企业纷纷赚到钱了，不仅没有衰落，而且还有余钱进行研。

无疆微电子公司斥巨资正在开更为先进的光刻机，建立8寸晶圆厂，这个事情也跟他们这些生产链上的配套公司沟通过了，并且密切联系，协同研，若是他们自己不上进，不开更好的技术产品，今后怕是很难再获得无疆微电子公司的订单。

可以说，国内很多家半导体公司是被无疆微电子公司逼着向前展。

赚到的钱，不能花天酒地，而是将其用于研上面，这简直是痛并快乐着。

赵烨参观完晶圆厂之后，随后来到光刻机实验室。

黄昆带着秦国刚、王守武、王圩等数名技术大佬迎了过来。

“几位院士，你们好，在这里工作还顺心吗？”赵烨一脸关切的问道，语气简直要多真诚，有多真诚。

这些院士大佬们简直就是他的心肝宝贝。

国内光刻机技术能不能快突破，就得看他们的了。

黄昆老院士笑着说道：“当然顺心，国内没有哪个地方比这里还好，什么也不要操心，一切都有专人伺候，我们只管研就好了！”

赵烨点点头：“你们工作顺心就好，对了，黄院士，新一代光刻机的开进度到什么程度了？”

黄昆院士笑了笑，回答道：“进度还不错，预计明年或许能够开出新一代的光刻机，直追日本佳能和尼康的光刻机。”

顿了顿，黄昆院士侃侃而谈，仔细地为赵烨介绍道：“我们现在采用193nmarF激光光源，已经实现了光刻过程中，掩模和硅片的同步移动，并且采用了缩小投影镜头，缩小比例达到5：1，有效提升了掩模的使用效率和曝光精度，从而将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶！”

赵烨对当下的光刻机以及芯片生产工艺也算比较了解，此刻听完黄昆院士的话，不由心头大喜。

干式光刻机到达193nm，就差不多到头了，想要再次突破，难度极大。前世，光刻机技术在2o年内，几乎没有什么进步，都被困在这里，光学光刻技术似乎已经到了分辨率的“极限”。后来直到林本坚提出“浸润式光刻”这一具有颠覆性的技术之后，光刻机技术这才得到突破193nm。

无疆微电子公司只要开出193nm光刻机，就跟佳能和尼康的光刻机技术相差不大了，反正之后2o年，对方怎么也进步不了了。

反倒是无疆微电子公司研浸润式光刻技术，实现弯道车！